CI 4C10 NTTFS4C10NTAG (1)

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Descrição do Produto

Fabricante: onsemi Categoria de produto: MOSFET RoHS: Detalhes Tecnologia: Si Estilo de montagem: SMD/SMT Caixa / Gabinete: WDFN-8 Polaridade do transistor: N-Channel Número de canais: 1 Channel Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V Id - Corrente de drenagem contínua: 44 A Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 7.4 mOhms Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V Tensão de limite porta e fonte: 1.3 V Qg - Carga na porta: 18.6 nC Temperatura operacional mínima: - 55 C Temperatura operacional máxima: + 150 C Pd - Dissipação de potência: 3.9 W Modo de canal: Enhancement Embalagem: Cut Tape Embalagem: MouseReel Embalagem: Reel Configuração: Single Série: NTTFS4C10N Marca: onsemi Tipo de Produto: MOSFET Quantidade do pacote de fábrica: 1500 Subcategoria: MOSFETs Peso unitário: 29.570 mg

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